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Università degli Studi di Pavia
Impact of Parasitic Elements on CMOS Charge Pumps: a Numerical Analysis Laura Gobbi, Alessandro Cabrini, and Guido Torelli [laura.gobbi, alessandro.cabrini, Università degli Studi di Pavia
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Pompe di carica In questo schema di principio, trascurando le predite dovute a diodi di trasferimento (sostituiti in soluzioni integrate da interruttori), per ogni condensatore usato è possibile avere una guadagno di tensione di VDD, con una capacità di erogare corrente, modellizzata tramite una resistenza equivalente di uscita, che dipende dalla frequenza f delle fasi di controllo F and –F e dalla dimensione dei condensatori C.
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Elementi Parassiti
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Cosa è importante conoscere
possibile struttura è indispensabile conoscere, in funzione degli elementi parassiti, come variano: il guadagno di tensione la resistenza equivalente di uscita l’efficienza di potenza
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Dickson: nC = 4; Heap: nC = 4; Makowski: nC = 3
Un esempio Dickson: nC = 4; Heap: nC = 4; Makowski: nC = 3 CSTAGE = 20 pF, COUT = 200 pF, VDD = 1.8 V, f = 20 MHz = = 0 = = 0.1
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