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1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica.

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Presentazione sul tema: "1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica."— Transcript della presentazione:

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3 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica

4 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N ossidazione superficiale substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica 4 - mascheratura, attacco acido

5 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N ossidazione superficiale substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica 4 - mascheratura, attacco acido 5 - diffusione P+ di isolamento P+

6 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N ossidazione superficiale substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica 4 - mascheratura, esposizione ai raggi UV, sviluppo, attacco acido 5 - diffusione P+ di isolamento 6 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 7 - diffusione P di Base diffusione di Base P+

7 8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica diffusione P di Base 9 - diffusione N+ di Emettitore diffusione N+ di Em.N+ P+

8 8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica diffusione P di Base 9 - diffusione N+ di Emettitore diffusione N+ di Em.N ossidazione, mascheratura, attacco acido P+

9 alluminio 8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica diffusione P di Base 9 - diffusione N+ di Emettitore diffusione N+ di Em.N ossidazione, mascheratura, attacco acido 11 - metallizzazione superficiale con Alluminio 12 - mascheratura, attacco acido P+

10 13 - contatti di Base, Collettore ed Emettitore strato epi N- substrato P Realizzazione di un bjt NPN nellintegrazione monolitica Base P Emettitore N+ sinker N+ BEC Gnd, Vss, -Vcc strato sepolto di tipo N+ Lo strato sepolto va realizzato prima della crescita epitassiale P+


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