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Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor Base (GeN) Emettitore (GeP)

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Presentazione sul tema: "Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor Base (GeN) Emettitore (GeP)"— Transcript della presentazione:

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2 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor Base (GeN) Emettitore (GeP) Collettore (GeP) supporto in plexiglass Ib IeIc E C B

3 1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

4 1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= strato epitassiale N = 3 - ossidazione superficiale substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido

5 1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= strato epitassiale N = 3 - ossidazione superficiale substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 5 - diffusione P di Boro per la Base diffusione di Base P 4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido

6 strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 8 - diffusione N+ di Emettitore diffusione di Base P 6 - ossidazione superficiale 7 - attacco acido selettivo diffusione N+ di Em.

7 strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale diffusione di Base P 9 - ossidazione superficiale diffusione N+ di Em attacco acido selettivo

8 strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale diffusione di Base P 9 - ossidazione superficiale diffusione N+ di Em attacco acido selettivo 11 - metallizzazione superficiale 12 - attacco acido selettivo

9 strato epitassiale N = substrato N+ Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale diffusione di Base P 9 - ossidazione superficiale diffusione N+ di Em attacco acido selettivo 11 - metallizzazione superficiale 12 - attacco acido selettivo EB COLLETTORE EB

10 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale 13 - separazione dei chip 14 - saldatura nel package 15 - saldatura dei contatti

11 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale struttura interdigitata


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