Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli S S canning E E lectron M M icroscopy.

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1 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli S S canning E E lectron M M icroscopy

2 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto Allo scopo di estrarre dal campione il maggior numero di informazioni possibili, occorrre comprendere a fondo quali sono i meccanismi di contrasto per i vari segnali che possono essere misurati per effetto della inreazione della sonda con il campione in esame.

3 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto SE maggiore per angoli grandi tra fascio e superficie  Contrasto topografico scarsa dipendenza da Z maggiore per E minore (a causa della minor penetrazione) Efficenza (intensità)  =  SE /  in  SE = n. elettroni secondari  in = n.elettroni incidenti Bassa energia  piccola profondità di uscita

4 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto SE SE I SE III SE II

5 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto SE

6 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto SE I1I1 I2I2 I 2 > I 1 I3I3 I 3 ??

7 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto BSE coefficiente η = η BS / η in η BS = n. elettroni BS η in = n.elettroni incidenti Forte dipendenza da Z (contrasto composizionale) Scarsa dipendenza da E Scarsa dipendenza dall’angolo di incidenza (scarso contrasto topografico)

8 Corso di Microscopia Elettronica a Scansione P.L. Fabbri – M. Tonelli Meccanismi di contrasto BSE