La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

Dispositivi a semiconduttore1 Elettroluminescenza : emissione radiativa incoerente prodotta dal passaggio di corrente: LED Line broadening LED: 10-20 nm.

Presentazioni simili


Presentazione sul tema: "Dispositivi a semiconduttore1 Elettroluminescenza : emissione radiativa incoerente prodotta dal passaggio di corrente: LED Line broadening LED: 10-20 nm."— Transcript della presentazione:

1 Dispositivi a semiconduttore1 Elettroluminescenza : emissione radiativa incoerente prodotta dal passaggio di corrente: LED Line broadening LED: nm LEDLD (laser diode) Incoherent emission Line broadening nm Divergent emission Coherent emission Line broadening 1 Å Small divergence

2 Dispositivi a semiconduttore2 Emissione radiativa KT Tuning in temperatura: Shift Gap + Thermal energy

3 Dispositivi a semiconduttore3 Elettroluminescenza Iniezione portatori minoritari alla giunzione Ricombinazione radiativa alla giunzione Materiali a gap diretta, ma anche indiretta (GaP) con trappole

4 Dispositivi a semiconduttore4 Importante applicazione LED oltre illuminatori: Isolatori optoelettronici Sig in Sig out

5 Dispositivi a semiconduttore5 Efficienza interna: in = n.fotoni emessi internamente/ n. portatori alla giunzione Efficienza esterna: ext = n.fotoni out/ n. portatori alla giunzione ext = in x op op =eff. Ottica Angolo critico16-17 gradi

6 Dispositivi a semiconduttore6 Pattern di emissione Lambertiano LED

7 Dispositivi a semiconduttore7 Surface emitter Edge emitter

8 Dispositivi a semiconduttore8 Laser I laser ( Rubino) : 1960 I laser a semiconduttore: 1962, GaAs, GaAsP Alferov e Kroemer: Premio Nobel 2000 for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and optoelectronics

9 Dispositivi a semiconduttore9 LD: laser diode Omogiunzione p-n Eterostruttura Contatti estesi Cavità Fabry-Perot : clivaggio Specchi dielettrici DBR: Dielectric Bragg Reflector

10 Dispositivi a semiconduttore10 Principali differenze fra un laser a SC e laser tradizionali Transizioni fra bande Compattezza Bassa soglia Caratteristiche spettrali e spaziali dipendenti dalle proprietà giunzione ( E g, indice rifrazione) Pompaggio elettrico con facile modulazione anche in alta frequenza ( f max 1/ r ): punto cruciale per trasmissione ottica di segnali

11 Dispositivi a semiconduttore11 Assorbimento ed emissione spontanea e stimolata

12 Dispositivi a semiconduttore12 Azione della cavità

13 Dispositivi a semiconduttore13 Azione della cavità

14 Dispositivi a semiconduttore14 Elettroluminescenza e azione laser

15 Dispositivi a semiconduttore15 Tipi di laser

16 Dispositivi a semiconduttore16

17 Dispositivi a semiconduttore17 Inversione di popolazione

18 Dispositivi a semiconduttore18 Quasi Fermi-levels

19 Dispositivi a semiconduttore19 Come si ottiene linversione di popolazione? Drogaggio elevato: degenerazione

20 Dispositivi a semiconduttore20 Omogiunzione Regione di inversione

21 Dispositivi a semiconduttore21

22 Dispositivi a semiconduttore22

23 Dispositivi a semiconduttore23

24 Dispositivi a semiconduttore24 Dipendenza dalla temperatura

25 Dispositivi a semiconduttore25 Corrente di soglia

26 Dispositivi a semiconduttore26 Per ridurre I th verso strutture a confinamento

27 Dispositivi a semiconduttore27 Confinamento portatori, ma anche fotoni


Scaricare ppt "Dispositivi a semiconduttore1 Elettroluminescenza : emissione radiativa incoerente prodotta dal passaggio di corrente: LED Line broadening LED: 10-20 nm."

Presentazioni simili


Annunci Google