I BJT (Bipolar Junction Transistor) Mauro Mosca - Università di Palermo – A.A. 2018-19
Prime considerazioni sui BJT collettore IB (corrente di controllo) FET I (flusso di corrente) S G D V (tensione di controllo) + BJT I (flusso di corrente) E B C V (tensione di controllo) + IC IB IB ≈ 0,01 IC base emettitore BIPOLARE
Struttura fisica di un BJT Regione di svuotamento n+ zona attiva
Correnti nel BJT a a a = 100 – 200 IC proporzionale a IB IC = bIB E B _ n p + E B a _ IB n p + = 100 – 200 a p B IC proporzionale a IB IC = bIB
Correnti nel BJT IE = IC + IB = IC + IC/b IC = a IE ≈ 1 IE npn pnp C B
Caratteristiche del BJT effetto Early rapporto IC / IB costante (≈b) VBE 0,6 – 0,7 V aumento VCE = aumento VCB IC (quasi) costante con VCE aumento larghezza zona svuotamento BC
Regioni di funzionamento saturazione zona attiva VBE + VCB + VBE + VCB – IB = 0 VCE(sat) ≈ 0 VBE – VCB – interdizione