4DInSiDe La data di avvio ufficiale dei progetti è fissata al 90° giorno dopo l’emanazione del decreto di ammissione al finanziamento. Le varianti alla sola articolazione economica del progetto non sono soggette ad approvazione preventiva da parte del MIUR Per tutte le pubblicazioni e i prodotti scientifici realizzati nell'ambito del progetto di ricerca, il PI e gli eventuali altri responsabili di unità sono tenuti a indicare di aver usufruito di un finanziamento nell'ambito del presente bando. Soldi: Il 40% in anticipo, entro 60 giorni dal decreto di ammissione a finanziamento; Il 30% entro 60 giorni dall’acquisizione, da parte del MIUR, di apposita dichiarazione, resa dal legale rappresentante dell’ateneo/ente entro il 15° giorno successivo alla conclusione della prima annualità Nicolo Cartiglia, INFN, Torino

4DInSiDe Ciascun responsabile di unità garantisce l'accesso gratuito e on-line (almeno in modalità green access) Overhead: E’ importante sottolineare che i costi indiretti, proprio per la loro natura forfetaria, non dovranno essere in alcun caso dettagliate, né sarà necessario predisporre per tale voce un’apposita documentazione. Detto forfait si intenderà riferito, in linea generale, a tutti quei costi, comunque connessi con l’attività di ricerca, non collocabili nelle altre voci di spesa. Ammortamento: su 36 mesi Entro 90 giorni dalla conclusione del progetto, il PI redige una relazione scientifica conclusiva sullo svolgimento delle attività e sui risultati ottenuti, con allegato elenco delle pubblicazioni relative al progetto Nicolo Cartiglia, INFN, Torino

4DInSiDe Our mission: The 4DInSiDe project aims at developing the next generation of particle detectors exploiting to its full potential controlled charge multiplication in silicon The development of a radiation resistant detector The reduction of the detector material budget The development of fully active sensors The implementation of very thin rear entrance windows. Nicolo Cartiglia, INFN, Torino Our studies have identified the following areas of research: Development of advanced simulation model of LGAD Development of a radiation hard LGAD design Design, production, and test of advanced LGAD that incorporate: Low material budget 100% active area Very thin entrance window Unchanged time resolution for fluences up to 5E15 (1-MeV neutron/cm2)

dai PiN agli LGAD p++ p bulk n++ p+ gain layer Traditional silicon diode Low Gain Avalanche Diode JTE Nicolo Cartiglia, INFN, Torino

Struttura della ricerca Il progetto è incentrato su due produzioni di sensori ad FBK: Alla fine del primo anno Alla fine del secondo anno Work package 1: Sensor design and fabrication Optimization of the gain layer design and its terminations using trenches. Completion of the design for the first production. Definition of a double-sided process with a thin entrance window. Completion of the design for the final production. Work package 2: Modelling of Radiation tolerance, and test-structure testing Understanding of dopant deactivation effects within the radiation damage model – electrical analysis of the intentional introduction of impurities [e.g. Carbon]. Model validations via comparison with available test measurements. Identification of the most radiation-hard structures. Work package3: Sensor testing and validation Read-out board design. Test of sensors in the laboratory (CV, IV, laser, sources, temperature scans). Beam test at medical facilities (CNAO and others), with low energy x-rays, and with high energy particles before and after sensor irradiation. Nicolo Cartiglia, INFN, Torino

Workpackages Q3/2020 Nicolo Cartiglia, INFN, Torino Q4/2021

Budget Nicolo Cartiglia, INFN, Torino A.1 A.2.1 B - overhead C produzioni sensori D E subtotal F total MIUR cofunding contratti 60% Travel premio PI Cartiglia 37064 50000 52239 167500 20000 326803 22430 349233 289739 Arcidiacono 24662 48483 43887 10000 127033 102370 Passeri 22898 38540 36863 108300 85402 Moscatelli 20108 27020 28277 85405 65297 Monaco 20374 35957 33798 100129 79755 622563 Total 125106 200000 195063 60000 747669 770099 644993 Nicolo Cartiglia, INFN, Torino