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M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi PRIN2003 – PRIN2005 Università di Pavia Università di Bergamo M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re,

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Presentazione sul tema: "M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi PRIN2003 – PRIN2005 Università di Pavia Università di Bergamo M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re,"— Transcript della presentazione:

1 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi PRIN2003 – PRIN2005 Università di Pavia Università di Bergamo M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi Trieste, 17 febbraio 2005

2 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi MAPS CMOS (Monolithic Active Pixel Sensors) Sono state progettate strutture di test in tecnologia CMOS 0.13 m ST (epi layer) (sottomissione dicembre 2004) Lobiettivo è realizzare la completa elaborazione analogica del segnale a livello del singolo pixel, utilizzando una tecnologia ad alta densità di integrazione e intrinsecamente rad-hard. La deep N-well viene utilizzata come elettrodo di raccolta della carica generata nellepi layer. Gli NMOS della sezione analogica sono realizzati allinterno della deep N-well. PRIN 2003

3 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi Pixel ed elettronica di lettura

4 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi Pixel ed elettronica di lettura Sono state integrate diverse strutture di test a singolo pixel con varie geometrie. Il segnale viene prelevato con un preamplificatore di carica (negli schemi tradizionali dei MAPS si usa un source follower).

5 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. TraversiM. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali PRIN 2003 Il chip con le strutture MAPS in CMOS 0.13 m sarà consegnato a metà marzo I test verificheranno la validità delle soluzioni adottate (adeguata raccolta di carica alla deep N-well, rumore e formatura del segnale…) Si avranno indicazioni importanti riguardo alla fattibilità di MAPS in CMOS 0.13 m. Questo soddisfa gli obiettivi del PRIN 2003.

6 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. Traversi PRIN 2005 Ottimizzazione tecnologica Verrà valutato un processo CMOS 0.13 m alternativo (IBM). Il progetto di strutture in questo processo è già cominciato. Verranno valutate le soluzioni ottimali per la resistenza alle radiazioni. Tecnologie alternative? (BiCMOS SiGe) Progettazione circuitale Lobiettivo è realizzare una matrice di pixel. Va definito come organizzare la lettura dei pixel (charge preamplifier o source follower) e la periferia del chip. (collaborazione con il gruppo di microelettronica del Fermilab) MAPS CMOS

7 M. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali, G. TraversiM. Manghisoni, L. Ratti, V. Re, V. Speziali PRIN 2005 Valutazione dei limiti delle tecnologie disponibili (rumore, resistenza alle radiazioni, dispersione di soglia) CMOS 0.13 m CMOS 0.09 m Bipolari SiGe Strip sottili


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