Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni Annunziata Sanseverino Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale.

Presentazione sul tema: "Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni Annunziata Sanseverino Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale."— Transcript della presentazione:

1 Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni Annunziata Sanseverino Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale

2 Irraggiamento con neutroni Lirraggiamento dei dispositivi è stato effettuato utilizzando il reattore Tapiro presso ENEA Casaccia. Dispositivi in Silicio: 72 Mosfet Dispositivi SiC: 12 Mosfet 12 Jfet

3 Dosi Tempo di irraggiamento: 4 ore (K) 27 ore (N-K) 31 ore (N) Neutroni 6 schede contenenti ciascuna 9 dispositivi Il valore della dose è legato alla posizione della scheda allinterno del reattore ed al tempo di permanenza del campione allinterno dello stesso. Fluenza 1MeV eq. su Si Per ciascuna tipologia di MOSFET sono state condotte prove a 4 diverse dosi irraggiando 3 campioni per ogni dose.

4 Mosfet in Si MOSFET da 30V: LR2703 (IR) LR7843 (IR) STP80N03L (STMicroelectronics) STP22N (STMicroelectronics) MOSFET da 200V: IRFB31N20 (IR) IRF630 (STMicroelectronics)

5 Misure effettuate Caratteristica Id-Vgs Caratteristica inversa Caratteristica ON Leakage di gate Tensione di soglia (ID=250uA) Tensione di breakdown (ID=10uA) Ron Misure condotte su dispositivi: Pre irraggiamento Pre annealing Post annealing Oltre 1000 forme donda

6 Elaborazione dei dati Si sono calcolati i parametri di interesse e rappresentati in funzione della dose di radiazione assorbita +

7 LR2703 IR 30V

8 LR7843 IR 30V

9 STP80N03L ST 30V

10 STP22N ST30V

11 IRFB31N20 IR 200V

12 IRF630 ST 200V

13 Dispositivi SiC Jfet SJEP120R100 SEMISOUTH 1200V Mosfet CMF10120D CREE 1200V DOSE 1: 3.95 10 11 n/cm 2 DOSE 2: 5.17 10 11 n/cm 2 DOSE 3: 6.77 10 11 n/cm 2 DOSE 4: 2.67 10 12 n/cm 2 12 dispositivi

14 Misure effettuate JFET Caratteristica ON Caratteristica Diodo Diretta Caratteristica Diodo Inversa Caratteristica Diodo per Vgs=0 MOSFET Caratteristica ON Leakage di gate Caratteristica Id-Vgs

15 JFET Pre irraggiamento Post

16 MOSFET Pre irraggiamento Post

17 Risultati dell irraggiamento con protoni

18 Dispositivi testati MOSFET Si 17 campioni IRF630 200V (STMicroelctronics) 4 campioni IRFB31N20 200V (IR) Condizioni test: Vgs=-2V Vds=180V – 190V – 200V In queste condizioni i dispositivi sono stati esposti al fascio fino al verificarsi della rottura.

19 Risultati IRF630 IRFB31N20 VGS = -2V

20 Grazie per lattenzione