Prime misure su apsel5T_TC S.B./F.Morsani/G.Rizzo/G.Traversi Incollaggi/ u-saldature chip#3 by M.Ceccanti/ A.Profeti
Apsel5T_TC Qualche giorno fa “scoperto” che era possibile testare le uscite dei PA perche’ TUTTE le pads del 2D erano state metallizzate ASAP u-saldato su carrier un chip e fatta la 2a board apsel5 fatte le prime misure “a caldo” secondo le istruzioni ricevute (Vfbk=280 mV) Tuning con G.Luca (AVDD=1.5 V!) e prime misure con setting (Vfbk=320 mV) OK.
Forma d’onda (AVDD=1.2,Vfbk=280 mV) Tpeak~4 us
Spettro Fe55 M1-22 (Tempo~4h, AVDD=1.2,Vfbk=280 mV) m1=132 mV G[mV/fC]~500 RMS noise~4 mV ENC~50 e- m2=146 mV Il basso rumore del pixel ci consente di “vedere” anche il secondo picco (5.90 e 6.49 keV distanti 164e-~3ENC)
Sr90 Chip 1 M1-22 (AVDD=1.2,Vfbk=280 mV) Scintillatore Forma d’onda in risposta a b da Sr-90 (trigger: scint. & V22>20 mv entro 4 us) Distribuzione del massimo dell’ampiezza (tempo 4h) No ClusterNo Landau
Chip1 (AVDD=1.5 V, Vfbk=280 mV) M1 M2 Nota: il noise in mV e’ molto diverso da canale a canale Abbiamo ottimizzato la forma d’onda (in modo da renderla piu’ simile alle simulazioni) Impostando un valore di Vfbk = 320 mV
Chip1 Gain mediante Cinj=60 fF (AVDD=1.5 V, Vfbk= 320 mV)
Indizi di dispersione sul Gain (AVDD=1.5 V, Vfbk= 320 mV) s= 4.6 mV ENC=62 e- [3,2]=149 mV s= 2.2 mV ENC=24 e- [1,1]=99 mV s= 2.0 mV ENC=33 e- [1,3]=107 mV s= 1.96 mV ENC=30 e- [2,3]=103 mV s= 1.87 mV ENC=30 e- Anche se poca stat. <peak> = 116 mV <Gain>= 442 mV/fC s(Gain)/<Gain>~20/116~18% <ENC>= 36 e- s(ENC)=15 e- Non e’ una Sorpresa (apsel5T-ST)
Conclusioni … siamo solo all’inzio PV puo’ iniziare la caratterizzazione con il Laser (chip1+chip2 + SDRO1) Iniziata u-saldatura di qualche chip a pisa. Prima di procedere con l’irraggiamento (Co60) e’ il caso di caratterizzare i(l) chip con le sorgenti Set-up per spettri Sr-90 e Fe-55 in automatico in progress(~1 week)