La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

IL LEGAME METALLICO Circa il 75 % degli elementi B, Si, Ge, As, Sb, Te, Po, At.

Presentazioni simili


Presentazione sul tema: "IL LEGAME METALLICO Circa il 75 % degli elementi B, Si, Ge, As, Sb, Te, Po, At."— Transcript della presentazione:

1 IL LEGAME METALLICO Circa il 75 % degli elementi B, Si, Ge, As, Sb, Te, Po, At

2 Bassa energia di ionizzazione e scarsa affinità elettronica (Riflette la luce) Ferro

3 Bassa energia di ionizzazione: facilità di estrazione degli e -

4 molecola gigante

5 Esagonale compatta (n.c. 12), cubica a facce centrate (n.c. 12), cubica a corpo centrato (n.c. 8).

6 Ne consegue che: - Il legame tra un atomo e ciascuno dei suoi vicini non può essere considerato un legame covalente localizzato vero e proprio (determinato dalla condivisione di una coppia elettronica), perché non ci sarebbe un numero sufficiente di elettroni per formare legami di questo tipo; - Gli elettroni di valenza non sono localizzati tra definite coppie di atomi, ma sono delocalizzati, cioè uniformemente distribuiti fra tutti gli atomi del reticolo. TEORIA DELLE BANDE Reticolo di cationi in un mare di elettroni

7 Teoria delle bande (fisico svizzero Felix Bloch) Applicando lequazione di Schrodinger ad una quantità di atomi metallici tendente a infinito, si ottiene una successione di livelli energetici orbitalici (approssimazione del legame forte): i livelli più bassi contengono elettroni e sono definiti bande di valenza, quelli a energia maggiore sono vuoti e rappresentano le bande di conduzione

8 Insieme infinito di orbitali molecolari: banda continua di livelli energetici Numero di atomi di Na che formano il cristallo N 10 23

9 Formazione delle bande di energia in un cristallo di Na metallico. La distribuzione degli e - nelle bande avviene cominciando dai livelli energetici più bassi (principio di esclusione di Pauli) r 0 : distanza interatomica del reticolo cristallino del Na

10 Il modello a bande descrive le proprietà di conduttori o di isolanti dei solidi cristallini

11

12 (anche Cu, Ag, Au) Bande di conduzione

13 Gli e - sotto linfluenza di un campo elettrico si possono spostare nelle bande di conduzione generando quindi una corrente elettrica. Allaumentare della temperatura si osserva una diminuzione della conducibilità elettrica in quanto aumentano le vibrazioni degli atomi attorno alle loro posizioni di equilibrio, vibrazioni che disturbano il movimento degli elettroni. Lucentezza dei metalli: gli e-, avendo a disposizione un gran numero di livelli energetici, possono assorbire facilmente radiazioni luminose di tutte le frequenze, passando a livelli energetici superiori; successivamente riemettono la luce assorbita ricadendo a livelli energetici più bassi.

14 Schema semplificato di bande elettroniche di un semiconduttore. In teoria i livelli energetici possibili sono infiniti ma ad alti valori l'elettrone viene espulso. Le bande hanno ampiezza differente in relazione agli orbitali atomici da cui derivano.

15 Diamante Conducibilità elettrica trascurabile ma elevata conducibilità termica. Lenergia termica non è trasmessa dagli elettroni ma dalle vibrazioni delle particelle.

16

17 Per gli elementi Sn e Pb (sempre del IV gruppo) il Gap energetico è ancora più piccolo, infatti le due bande si sovrappongono, presentando proprietà di conduttori.

18 E diamante silicio germaniostagno piombo ISOLANTE SEMICONDUTTORI CONDUTTORI

19 h E Campo elettrico

20 A differenza dei metalli, nei semiconduttori intrinseci la conducibilità elettrica aumenta con laumentare della temperatura, perché aumenta il numero di e - che per eccitazione termica vengono promossi dalla banda di valenza a quella di conduzione.

21 Semiconduttori estrinseci (o drogati) Si Elementi del III gruppo (B, Al, Ga, In e Tl) Elementi del V gruppo (P, As, Sb e Bi) Esempio: Si + Ga (formazione di un solido sostituzionale) Ga: 3 elettroni di valenza Si: 4 elettroni di valenza Ad uno dei legami Ga-Si manca un elettrone Banda di conduzione Banda di valenza 1.1 eV 0.1 eV Livello accettore e - e - In presenza di un campo elettrico si ha un movimento di cariche negative dalla banda di valenza ai livelli accettori, creando delle lacune positive nella banda di valenza : SENICONDUTTORI ESTRINSECI DI TIPO p.

22 Esempio: Si + As As: 5 elettroni di valenza Si: 4 elettroni di valenza Per uno dei legami As-Si cè un elettrone in eccesso Banda di conduzione Banda di valenza 1.1 eV 0.1 eV Livello donatore e - e - In presenza di un campo elettrico si ha un movimento di cariche negative nella banda di conduzione: SEMICONDUTTORI ESTRINSECI DI TIPO n

23

24 Determinano le proprietà chimiche e fisiche delle specie chimiche (quindi lo stato di aggregazione)

25 Latomo di H fa da ponte tra due atomi

26

27 Struttura tetraedrica notevolmente aperta e quindi a densità minore di quella dellacqua allo stato liquido

28

29

30


Scaricare ppt "IL LEGAME METALLICO Circa il 75 % degli elementi B, Si, Ge, As, Sb, Te, Po, At."

Presentazioni simili


Annunci Google